Domov > Produkty > Diskrétne polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > CSD25213W10
CSD25213W10
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Bezolovnatý / V súlade RoHS
Požiadavka Price & dodacia lehota
CSD25213W10 sú k dispozícii, môžeme dodať CSD25213W10, použite formulár žiadosti o cenovú ponuku a požiadajte o CSD25213W10 pirce a dodaciu lehotu.Atosn.com profesionálny distribútor elektronických komponentov. Máme veľký inventár a môžeme rýchlo doručiť, kontaktujte nás ešte dnes a náš obchodný zástupca vám poskytne cenu a podrobnosti o zásielke v časti # CSD25213W10. Zahrňte problémy s colným odbavením, aby zodpovedali vašej krajine, máme profesionálny predajný tíma technický tím, tešíme sa na spoluprácu.
Žiadosť o cenovú ponuku
paramters produktov
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- -6V
- technológie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Balík dodávateľov zariadení
- 4-DSBGA (1x1)
- séria
- NexFET™
- Rds Zap (Max) @ Id, Vgs
- 47 mOhm @ 1A, 4.5V
- Zníženie výkonu (Max)
- 1W (Ta)
- obal
- Cut Tape (CT)
- Balík / puzdro
- 4-UFBGA, DSBGA
- Ostatné mená
- 296-40004-1
- Prevádzková teplota
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Typ montáže
- Surface Mount
- Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Výrobca štandardná doba výroby
- 35 Weeks
- Stav voľného vodiča / RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
- 478pF @ 10V
- Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs
- 2.9nC @ 4.5V
- Typ FET
- P-Channel
- Funkcia FET
- -
- Napätie pohonu (maximálne RDS zapnuté, min. Rds zapnuté)
- 2.5V, 4.5V
- Vypustite na zdrojové napätie (Vdss)
- 20V
- Detailný popis
- P-Channel 20V 1.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
- Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C
- 1.6A (Ta)
podobné produkty
- CSD25213W10
- Údajový list CSD25213W10
- Údajový list CSD25213W10
- Údajový list pdf CSD25213W10
- Stiahnite si údajový list CSD25213W10
- Obrázok CSD25213W10
- Časť CSD25213W10